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TECNOLOGIA SHENZHEN CO. DE VBE, LTD

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Módulo feito-à-medida do amplificador de potência do Rf, amplificador ultra de baixo nível de ruído 40 do Rf ganho 50 60dB

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China VBE Technology Shenzhen Co., Ltd. Certificações
China VBE Technology Shenzhen Co., Ltd. Certificações
Trabalhamos com a equipa da VBE há mais de 10 anos, os seus produtos avançados e serviços profissionais tornam os nossos trabalhos locais mais fáceis.

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Módulo feito-à-medida do amplificador de potência do Rf, amplificador ultra de baixo nível de ruído 40 do Rf ganho 50 60dB

Módulo feito-à-medida do amplificador de potência do Rf, amplificador ultra de baixo nível de ruído 40 do Rf ganho 50 60dB
Módulo feito-à-medida do amplificador de potência do Rf, amplificador ultra de baixo nível de ruído 40 do Rf ganho 50 60dB

Imagem Grande :  Módulo feito-à-medida do amplificador de potência do Rf, amplificador ultra de baixo nível de ruído 40 do Rf ganho 50 60dB Melhor preço

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: VBE
Certificação: ISO9001
Número do modelo: VBP2GL
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1SET
Preço: Customized Product
Detalhes da embalagem: embalagem neutra
Tempo de entrega: 7-15 dias
Termos de pagamento: T / União, T Ocidental,
Habilidade da fonte: 10000 PCes pelo mês
Descrição de produto detalhada
Nome do produto: 2GHz, S-faixa, amplificador de baixo nível de ruído LNA Faixa de freqüência: Personalizável
TEMPERATURA DE TRABALHO: -40~+70°C Tensão de funcionamento: C.C. +12V
Destaque:

Amplificador de poder da radiofrequência

,

amplificador de potência de faixa larga do rf

2GHz, S-faixa, amplificador de baixo nível de ruído LNA, módulo do amplificador de potência do RF

Introduções do módulo do amplificador de potência de VBE RF:

VBE fornecem soluções de módulos do RF que incluem a fonte do sinal da radiofrequência, o amplificador de potência de radiofrequência (PA), o amplificador de baixo nível de ruído (LNA), a unidade exterior da radiofrequência (ODU) e a solução personalizada do módulo da radiofrequência, a faixa da P-onda da tampa da faixa de frequência, a faixa da L-onda, a faixa da S-onda, a faixa da Ku-onda e a faixa da Ka-onda e assim por diante, amplamente aplicando-se no sistema do equipamento da parte alta. O módulo adota um número de tecnologia avançada no produto que projeta e satisfaz a exigência diferente da função e do parâmetro de desempenho.

Características do produto de VBP2GL:

1. Faixa de frequência larga;
2. baixo ruído da saída;
3. consumo da baixa potência, linearidade alta;
4. processo do microconjunto do híbrido, tamanho pequeno, estabilidade alta;
5. variação da temperatura de funcionamento larga;
6. disponível feito-à-medida


Especificações técnicas:

NÃO. Artigo Descrição Máximo típico do minuto Unidade
1 Faixa de frequência A
B
C
2,2 2,4
2,4 2,5
2,3 2,8
Gigahertz
2 Ganho Selecionável 40 50 60 DB
3 Nivelamento do ganho Faixa completa +/--0,5 DB
4 VSWR Entrada/saída 1.3:1
5 Temperatura de ruído °C 23 45 °K
6 poder do ponto da compressão 1dB
≥+10 dBm
7 ó ordem IMD Dual-tone-12dBm ≤-51 dBc
8 Estabilidade do ganho 24 horas +/--0,5 DB
9 Conector Entrada/saída N ou SMA
10 Sobrecarga da entrada Sobrecarga 1min 0 dBm
11 Tensão de funcionamento C.C. +12 +15 V
12 Temperatura de trabalho
-40~+70 °C


Aplicações de VBP2GL:

  1. Uma comunicação de Satallite;
  2. Uma comunicação militar;
  3. Bloqueando os sinais de rádio;
  4. Contramedidas eletrônicas (ECM);
  5. Comunicações móvéis.

Contacto
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Pessoa de Contato: sales

Telefone: +8613794498013

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