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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
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X consumo da baixa potência do módulo do amplificador de potência da faixa 7-10.5GHz RF no PA da alta frequência super de uma comunicação de Satallite

Detalhes do produto

Lugar de origem: China

Marca: VBE

Certificação: ISO9001

Número do modelo: VBP7-10GL

Termos de pagamento e envio

Quantidade de ordem mínima: 1SET

Preço: Customized Product

Detalhes da embalagem: embalagem neutra

Tempo de entrega: 7-15 dias

Termos de pagamento: T / União, T Ocidental,

Habilidade da fonte: 10000 PCes pelo mês

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Especificações
Destacar:

Amplificador de poder da radiofrequência

,

amplificador de potência de faixa larga do rf

Nome do produto:
amplificador de baixo nível de ruído LNA da X-faixa 7-10.5GHz
Faixa de frequência:
Customizável
ó ordem IMD (P1dB-3dB):
≤-51
Tensão de funcionamento:
C.C. +12V
Nome do produto:
amplificador de baixo nível de ruído LNA da X-faixa 7-10.5GHz
Faixa de frequência:
Customizável
ó ordem IMD (P1dB-3dB):
≤-51
Tensão de funcionamento:
C.C. +12V
Descrição
X consumo da baixa potência do módulo do amplificador de potência da faixa 7-10.5GHz RF no PA da alta frequência super de uma comunicação de Satallite

amplificador de baixo nível de ruído LNA da X-faixa 7-10.5GHz, módulo do amplificador de potência do RF, uma comunicação de Satallite

X consumo da baixa potência do módulo do amplificador de potência da faixa 7-10.5GHz RF no PA da alta frequência super de uma comunicação de Satallite 0

Instruções do módulo do amplificador de potência de VBE RF:

Solutios de VBE dos módulos do RF que incluem a fonte do sinal da radiofrequência, o amplificador de potência de radiofrequência (PA), o amplificador de baixo nível de ruído (LNA), a unidade exterior da radiofrequência (ODU) e a solução personalizada do módulo da radiofrequência, a faixa da P-onda da tampa da faixa de frequência, a faixa da L-onda, a faixa da S-onda, a faixa da Ku-onda e a faixa da Ka-onda e assim por diante, amplamente aplicando-se no sistema do equipamento da parte alta. O módulo para adotar um número de tecnologia avançada no produto que projeta e para satisfazer a exigência diferente da função e do parâmetro de desempenho.

Especificações técnicas:

NÃO. Artigo Descrição Min Typical Max Unidade
1 Faixa de frequência
B
C
D
E
7,25 7,75
8,0 8,4
7,5 8,5
8,0 9,0
10,0 10,5
Gigahertz
2 Ganho Selecionável 50 60 DB
3 Nivelamento do ganho Faixa completa +/--0,75 DB
4 VSWR Entrada
Saída
1.25:1
1.5:1
5 Temperatura de ruído 23°C 60 70 80 °K
6

compressão 1dB

Poder do ponto

≥+10 dBm
7 ó ordem IMD Dual-tone-12dBm ≤-51 dBc
8 Estabilidade do ganho 24 horas +/--0,5 DB
9 Conector Entrada
Saída
Medidor de ondas
N ou SMA
10 Sobrecarga entrada Sobrecarga 1min 0 dBm
11 Tensão de funcionamento C.C. +12 +15 V
12 Temperatura de trabalho -40~+70 °C

Características do produto:

1. Faixa de frequência larga;
2. baixo ruído da saída;
3. consumo da baixa potência, linearidade alta;
4. processo híbrido do microconjunto, tamanho pequeno, estabilidade alta;
5. variação da temperatura de funcionamento larga;
6. disponível feito-à-medida


Aplicações:

  • Uma comunicação de Satallite;
  • Uma comunicação militar;
  • Bloqueando os sinais de rádio;
  • Contramedidas eletrônicas (ECM);
  • Comunicações móvéis;
  • Etc.
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