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transistor de poder superior 28V do RF dos FETs de 700-1000MHz LDMOS 260W com proteção integrada do ESD

transistor de poder superior 28V do RF dos FETs de 700-1000MHz LDMOS 260W com proteção integrada do ESD

700-1000MHz LDMOS FETs RF High Power Transistors 28V 260W With  Integrated ESD Protection
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Imagem Grande :  transistor de poder superior 28V do RF dos FETs de 700-1000MHz LDMOS 260W com proteção integrada do ESD Melhor preço

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: VBE
Certificação: ISO
Número do modelo: VBE09260B2

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1pcs
Detalhes da embalagem: embalagem neutra
Tempo de entrega: 5-8 dias de trabalho
Habilidade da fonte: 10k
Descrição de produto detalhada
Condição: novo e original
Realçar:

high power rf transistor

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high frequency power transistor

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