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HF excelente do FET 28V do transistor LDMOS do amplificador de potência do Rf da estabilidade de Theramal a 2.7GHz

HF excelente do FET 28V do transistor LDMOS do amplificador de potência do Rf da estabilidade de Theramal a 2.7GHz

Excellent Theramal Stability Rf Power Amplifier Transistor LDMOS FET 28V HF to 2.7GHz
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Imagem Grande :  HF excelente do FET 28V do transistor LDMOS do amplificador de potência do Rf da estabilidade de Theramal a 2.7GHz Melhor preço

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: VBE
Certificação: ISO
Número do modelo: VBE10R5

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 1pcs
Detalhes da embalagem: embalagem neutra
Tempo de entrega: 5-8 dias de trabalho
Habilidade da fonte: 10k
Descrição de produto detalhada
Circunstância: Brandnew e original
Realçar:

high power rf transistor

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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Pessoa de Contato: sales

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